

1. Dùng để khắc DIE trên wafer bán dẫn; tương thích với wafer 8/12 inch và các vật liệu Si, EMC, lớp chống hàn; hỗ trợ khắc mặt trước/mặt sau, khắc die trần và khắc xuyên màng
2. Vận hành hoàn toàn tự động với tay máy hai tay, cho năng suất cao
3. Tùy chọn mô-đun cấp liệu Load Port / SMIF
4. Tích hợp hệ thống kiểm tra công suất để bảo đảm chất lượng khắc ổn định
5. Hỗ trợ giao thức truyền thông SECS-GEM
Dùng để khắc DIE trên wafer 12 inch trở xuống, bao gồm các vật liệu Si, GaAs, SiC, EMC và lớp chống hàn.